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Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = -2.1 A
1000
C iss
V DD = -40 V
6
V DD = -30 V
V DD = -50 V
100
4
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
3
6
9
12
15
10
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
7
2.5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
6
T J = 25 o C
2.0
5
4
T J = 100 o C
1.5
V GS = -10 V
V GS = -4.5 V
1.0
3
R θ JA = 78 C/W
2
T J = 125 o C
0.5
o
1
0.01
0.1
1
10
0.0
25
50
75
100
125
150
T C , Ambient TEMPERATURE ( C )
20
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
R θ JA = 175 C/W
T A = 25 C
10
1
THIS AREA IS
100 us
1 ms
10 ms
100
V GS = -10 V
SINGLE PULSE
o
o
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100 ms
10
10
10
10
10
0.01
0.005
0.1
TJ = MAX RATED
R θ JA = 175 o C/W
TA = 25 o C
1
10
1s
10 s
DC
100
300
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC3535 Rev. C
4
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